| 描述 | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4 毫欧 @ 20A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 36?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 5100pF @ 20V | 功率 - 最大 | 69W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSZ040N04LSGINTR BSZ040N04LSGXT SP000388295 |
