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BSZ088N03MS G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 3500¥2.28
  • 5000¥2.13
  • 10000¥2.05
  • 25000¥1.97
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES漏极连续电流11 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0088 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSDSON-8封装Reel
下降时间2.4 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2.1 W上升时间3 ns
典型关闭延迟时间18 ns零件号别名BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGXT SP000311509

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