| 描述 | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.3A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 125 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 25?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V | 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSZ12DN20NS3GTRSP000781784 |
