| 描述 | SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A（Ta），6.7A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 96 毫欧 @ 3.4A，8V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 5 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 365 pF @ 10 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），7.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
【NXP Semiconductors】BUK6207-30C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6207-55C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6208-40C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6209-30C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
【NXP Semiconductors】BUK6210-55C,118,MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428