描述 | 9648 MISC TRENCHFET | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16.9A(Tc),9.16A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9 毫欧 @ 10A,10V,22.6 毫欧 @ 5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 54nC @ 5V,23nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5178pF @ 25V,2315pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 5.2W(Tc),3.9W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
供应商器件封装 | 20-SO |