| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 55V 20SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | - |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 13.8 毫欧 @ 10A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | - | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 供应商设备封装 | 20-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) |
