| 晶体管类型 | NPN | 最低工作温度 | -40 °C |
|---|---|---|---|
| 最大功率耗散 | 42000 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1 V | 最大直流集电极电流 | 0.5 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 400 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 1 V |
| 最小直流电流增益 | 26 V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极功率 |
| 配置 | 单 | 长度 | 7.8mm |
| 高度 | 11.1mm |
【NXP Semiconductors】BUX86P,127,Transistors Bipolar (BJT) BUX86P/SOT82/RAILH//
【NXP Semiconductors】BUX87P,127,Transistors Bipolar (BJT) BUX87P/SOT82/RAILH//
【STMicroelectronics】BUX98AP,Transistors Bipolar (BJT) TO-218 NPN HI-V SW
【STMicroelectronics】BUX98C,Transistors Bipolar (BJT) NPN High Volt Power
