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  • BUZ30A H3045A

BUZ30A H3045A

  • 制造商:-
  • 数据列表:BUZ 30A H
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SIPMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.10403
  • 2000$1.02789
  • 5000$0.98982
  • 10000$0.95175
  • 25000$0.93272
产品属性
描述MOSFET N-CH 200V 21A TO-263FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 13.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs-
输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 25V功率 - 最大125W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-4,D?Pak(3 引线+接片),TO-263AA
供应商设备封装PG-TO263-3包装带卷 (TR)
其它名称BUZ30A L3045ABUZ30A L3045A-NDBUZ30AH3045AINTRBUZ30AL3045AINTRBUZ30AL3045AINTR-NDBUZ30AL3045AXTSP000102176SP000736082

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