| 描述 | 双极小信号 Dual NPN | 封装 / 箱体 | SOT-363 |
|---|---|---|---|
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V | 发射极 - 基极电压 VEBO | 6 V |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A | 功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作频率 | 300 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 | Reel | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 40 |
| 最小工作温度 | - 65 C | 标准包装数量 | 3000.0 |
【Central Semiconductor】CMKT2907A,Transistors Bipolar (BJT) Dual PNP
【Central Semiconductor】CMKT3904 LEADFREE,Transistors Bipolar (BJT) Dual - NPN/NPN Switching
【Central Semiconductor】CMKT3906,Transistors Bipolar (BJT) Dual - PNP/PNP Switching
【Central Semiconductor】CMKT3906 LEADFREE,双极小信号 Dual - PNP/PNP Switching