| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Complementary Enhanced | 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 90 at 0.1 mA at 1 V | 配置 | Dual |
| 最大工作频率 | 300 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-563 |
| 封装 | Reel | 集电极连续电流 | 0.45 A |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 350 mW |
| 工厂包装数量 | 3000 |
【Central Semiconductor】CMLT3906E,Transistors Bipolar (BJT) PNP Complementary Enhanced
【Central Semiconductor】CMLT3906E LEADFREE,双极小信号 PNP Complementary Enhanced
【Central Semiconductor】CMLT3946E,Transistors Bipolar (BJT) NPN/PNP Complemntry
【Central Semiconductor】CMLT3946E LEADFREE,双极小信号 NPN/PNP Complemntry