描述 | 双极小信号 PNP GP | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
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集电极—发射极最大电压 VCEO | 50 V | 发射极 - 基极电压 VEBO | - 3 V |
最大直流电集电极电流 | 0.05 A | 功率耗散 | 350 mW |
最大工作频率 | 40 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
封装 | Box | DC Collector/Base Gain hfe Min | 250 at 0.1 mA at 5 V |
最小工作温度 | - 65 C | Standard Pack Qty | 3000.0 |
零件号别名 | 3000 CMPT5087 PCS T&R |
【Central Semiconductor】CMPT5088,Transistors Bipolar (BJT) NPN GP
【Central Semiconductor】CMPT5088-T&R 3000 PCS,Transistors Bipolar (BJT) NPN GP
【Central Semiconductor】CMPT5089 LEADFREE,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Purpose
【Central Semiconductor】CMPT5089 T&R 3000 PCS,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Purpose