| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN High Voltage | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 40 at 1 mA at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作频率 | 20 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-23 | 封装 | Box |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 350 mW |
| 工厂包装数量 | 3000 |
【Central Semiconductor】CMPTA46,Transistors Bipolar (BJT) NPN Extremely High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA56,Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power
【Central Semiconductor】CMPTA56 T&R 3000 PCS,Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power
【Central Semiconductor】CMPTA56TR,Transistors Bipolar (BJT) Single PNP 80V 500mA
【Central Semiconductor】CMPTA63,Transistors Darlington PNP Darlington