| 典型上升时间 | 2.5μs | 典型下落时间 | 2.7μs |
|---|---|---|---|
| 典型前向电压 | 1.25V | 功能 | 晶体管和光电池输出型光耦合器 |
| 安装 | 通孔 | 插脚数 | 6 |
| 最大前向电压 | 1.6V | 最大功率耗散 | 250mW |
| 最大工作温度 | 100°C | 最大转移电流比 | 125% |
| 最大输入电流 | 60mA | 最大逆向电压 | 5V |
| 最大集电极发射器电压 | 90V | 最大集电极电流 | 50mA |
| 最小工作温度 | -55°C | 最小转移电流比 | 63% |
| 最小隔离电压 | 5000Vrms | 每芯片通道数目 | 1 |
| 输入类型 | 直流 | 输出类型 | 直流 |
| 输出装置 | 带基座的晶体管 |
号 ctr/% v（br）ce0/v 生产厂 封装型式pc816a 80～160 70 sharp dzp-4基极未引出pc817a 80～160 35 sharp sfh610a-2 63～125 70 simens nec2501-h 80～160 40 nec cny17-2 63～125 70 motoroln dzp-4基极未引出cny17-3 100～200 70 simens sfh600-1 63～125 70 simens sfh600-2 100～200 70 simens cny75ga 63～125 90 temic dzp-4基极未引出cny75gb 100～200 90 temic moc8101 50～80 30 motoroln moc8102 73～117 30 motoroln 3.光耦合器的技术参数 光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降vf、正向电流if、电流传输比ctr、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压v(br)ceo、集电极-发射极饱和压降vce(sat)。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等 ...
