| 描述 | PROTOTYPE | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Ta），105A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 24A，8V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 8.4 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | +10V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 12.5 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
