| 描述 | MOSFET N-CH 30V 60A 8SON | 系列 | NexFET? |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5.4 毫欧 @ 18A，8V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.7V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1440pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-SON |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 296-27250-6 |
严重受限 ●组件规范：体积受限（尺寸和外形） ●热规范和散热属性：基本散热 电路原理图和组件选择 图3描述了建议热插拔电路的原理图。可以方便地将任何负载相关大容量存储电容器，靠近负载放置于主板上，无需放置在热插拔模块上。 图3:数字热插拔电路原理图 表2详细列出了最基本的电路组件的封装尺寸和厂商建议焊垫几何尺寸。 表2:热插拔电路组件封装尺寸和建议焊垫几何尺寸 mosfet, q1 在我们的例子中，我们使用了ti nexfet csd17309q3[3]，它是一种25℃下4.9 mw开态电阻的30v 60a son器件。如果图4a的开态电阻温度系数约为0.3%/℃，则55℃工作结温下满负载传导损耗为0.6w。栅极到源极齐纳二极管将mosfet vgs维持在额定电平（正负极）。2℃/w的稳态结壳热阻抗rthj-c表明，壳结温升约为 1.2℃。最大额定mosfet结温为150℃。故障状态期间1 ms一次性脉冲时长条件下，图4b和4c的曲线图分别表示50a、12v时的安全工作区(soa) 大小，以及0.001的标准化结到环境瞬态热阻抗zthj- ...
