| 描述 | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | 系列 | NexFET? |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 82 毫欧 @ 500mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 325pF @ 6V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，DSBGA | 供应商设备封装 | 4-DSBGA（1x1） |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 296-24258-6 |
