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  • CSD86356Q5D

CSD86356Q5D

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  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:2,500 : ¥9.19406卷带(TR)
  • 系列:NexFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述25V POWERBLOCK N CH MOSFET技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 个 N 通道(半桥)FET 功能逻辑电平栅极,5V 驱动
漏源电压(Vdss)25V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 毫欧 @ 20A,5V,0.8 毫欧 @ 20A,5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.85V @ 250μA,1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.9nC @ 4.5V,19.3nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1040pF @ 12.5V,2510pF @ 12.5V
功率 - 最大值12W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerTDFN
供应商器件封装8-VSON-CLIP(5x6)

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