描述 | PROTOTYPE | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 个 N 通道(半桥) | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | - | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250μA,1.15V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - |
功率 - 最大值 | - | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerLDFN |
供应商器件封装 | 8-LSON(3.3x3.3) |