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  • CSD87330Q3DT

CSD87330Q3DT

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:NexFET?
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
产品属性
描述PROTOTYPE技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 个 N 通道(半桥)FET 功能标准
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA,1.15V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
功率 - 最大值-工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerLDFN
供应商器件封装8-LSON(3.3x3.3)

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