描述 | Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW | 安装风格 | SMD/SMT |
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封装 / 箱体 | SOT-23-3 | 集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V |
峰值直流集电极电流 | 500 mA | 最大工作温度 | + 150 C |
封装 | Reel | 最小工作温度 | - 55 C |
工厂包装数量 | 3000 |
【Diodes Inc.】DDTB114GU-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW
【Diodes Inc.】DDTB114TC-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW
【Diodes Inc.】DDTB114TU-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW
【Diodes Inc.】DDTB122JC-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 0.22KW 4.7KW 3K