描述 | Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW | 典型电阻器比率 | 0 |
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安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-23-3 |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V | 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
最大工作温度 | + 150 C | 封装 | Reel |
最小工作温度 | - 55 C | 工厂包装数量 | 3000 |
【Diodes Inc.】DDTD114GU-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW
【Diodes Inc.】DDTD114TC-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW
【Diodes Inc.】DDTD114TU-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW
【Diodes Inc.】DDTD122JC-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 0.22KW 4.7KW 3K