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  • DMG1029SV-7

DMG1029SV-7

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.0644
  • 6000$0.056
  • 15000$0.0476
  • 30000$0.0448
  • 75000$0.042
产品属性
描述MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C480mA,320mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.7 欧姆 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
功率 - 最大660mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)其它名称DMG1029SV-7DITR

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