描述 | MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA(Ta),360mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.7 欧姆 @ 500mA,10V,4 欧姆 @ 500mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250μA,3V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 0.3nC @ 4.5V,0.28nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 30pF @ 25V,25pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 450mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |