描述 | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 16 毫欧 @ 11A,20V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 35.4nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1614pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMG4435SSS-13DITR |