| 描述 | MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 和 2 P 沟道（半桥） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A，2.4A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 11.5nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 731pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 1.6W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
