| 描述 | MOSFET DUAL N-CH 6-DFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 900mV @ 100?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 350mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 | 供应商设备封装 | 6-DFN1310H4（1.0x1.3） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN2005DLP4KDITR |
