| 描述 | MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6E | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11.6 毫欧 @ 8.5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 45.6nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1779pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 660mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN | 供应商设备封装 | * |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN2015UFDE-7DITR |
