| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 55 毫欧 @ 6A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 555pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商设备封装 | SOT-26 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN2100UDMDITR |
