| 描述 | MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 175 毫欧 @ 300mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 950mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 64.3pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 470mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商设备封装 | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN2300UFB4-7BDITR |
