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  • DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

  • 制造商:-
  • 标准包装:10,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 10000$0.087
  • 30000$0.0798
  • 50000$0.0768
  • 100000$0.075
  • 250000$0.0738
产品属性
描述MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C230mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 100mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds14.1pF @ 15V
功率 - 最大300mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-963供应商设备封装SOT-963
包装带卷 (TR)其它名称DMN26D0UDJ-7DITR

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