| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 305mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.4 欧姆 @ 200mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 225mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商设备封装 | SOT-26 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN601DMK-7-FDMN601DMK-FDITRDMN601DMK-FDITR-NDDMN601DMK-FTRDMN601DMK-FTR-NDDMN601DMKDITR |
