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  • DST847BPDP6-7

DST847BPDP6-7

  • 制造商：Diodes Inc.(Diodes Inc.,Diodes Inc.)
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：6 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1￥3.86
  • 10￥2.76
  • 100￥1.66
  • 250￥1.17
  • 500￥0.966
产品属性关于Diodes Inc.(Diodes Inc.,Diodes Inc.)
描述Transistors Bipolar (BJT) BIPOLAR TRANS COMP直流集电极/Base Gain hfe Min300
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-963
封装Reel集电极连续电流100 mA
功率耗散250 mW

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