描述 | MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 N 沟道(双)共漏 | FET 功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
漏源电压(Vdss) | - | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | - | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 15nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - |
功率 - 最大值 | 1.6W | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 4-XFBGA,WLCSP |
供应商器件封装 | 4-WLCSP(1.26x1.26) |