| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6 | 系列 | - |
|---|---|---|---|
| FET 型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 100?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 115pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商设备封装 | EMT6 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | EM6J1T2RTR |
