| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V | 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | EMT6 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | EM6K7T2RTR |
