描述 | TRANS PNP/NPN 50V 50MA EMT6 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 10k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 10k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500?A,10mA | 电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | 250MHz | 功率 - 最大 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商设备封装 | EMT6 | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | EMD3T2R-NDEMD3T2RTR |
【ON Semiconductor】EMD4DXV6T1,Transistors Switching (Resistor Biased) Dual Complementary
【ON Semiconductor】EMD4DXV6T1G,TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
【ON Semiconductor】EMD4DXV6T5,Transistors Switching (Resistor Biased) Dual Complementary
【ON Semiconductor】EMD4DXV6T5G,TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563