| 描述 | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | FET 型 | GaNFET N 通道，氮化镓 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.9nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 110pF @ 100V | 功率 - 最大 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 4-LGA |
| 供应商设备封装 | 4-LGA（1.7x0.9） | 包装 | Digi-Reel? |
| 其它名称 | 917-1006-6 |
