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  • EPC2014

EPC2014

  • 制造商:-
  • 产品培训模块:Paralleling eGaN? FETs
  • 特色产品:EPC2014 40 V eGaN? FETDemo Board EPC9101
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$2.7
  • 10$2.31
  • 100$1.8865
  • 250$1.694
  • 500$1.463
产品属性
描述TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE系列eGaN?
FET 型GaNFET N 通道,氮化镓FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 5A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs2.48nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds300pF @ 20V
功率 - 最大-安装类型表面贴装
封装/外壳5-LGA供应商设备封装5-LGA(1.7x1.1)
包装Digi-Reel?其它名称917-1018-6

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