描述 | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 系列 | eGaN? |
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FET 型 | GaNFET N 通道,氮化镓 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 16 毫欧 @ 5A,5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 2mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.48nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 300pF @ 20V |
功率 - 最大 | - | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 5-LGA | 供应商设备封装 | 5-LGA(1.7x1.1) |
包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 917-1018-6 |