| 描述 | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | 系列 | eGaN? |
|---|---|---|---|
| FET 型 | GaNFET N 通道，氮化镓 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4 毫欧 @ 33A，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 9mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10.5nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | - | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 模具剖面（11 焊条） | 供应商设备封装 | 模具剖面（11 焊条） |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 917-1019-6 |
