| 描述 | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | 技术 | GaNFET（氮化镓） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V，100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A，500mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22pF @ 30V，7pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | - | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 9-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 9-BGA（1.35x1.35） |
