| 描述 | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 70 毫欧 @ 23.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 270nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 8000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 417W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商设备封装 | TO-247 |
| 包装 | 管件 |
艺采用原副边交叉绕（两段式全包）， 可实现变压器的紧密耦合， 减小漏感。 2.2.3 半桥变换器功率管的选择 设计中，采用半桥式拓扑，开关管q1 和q2上的电压即为变换器的输入电压，有下式成立： 二极管d2 和d6 上的电压为： 整流二极管d3 和d5 上的电压为： 流过开关管的最大电流值为： 式中： io 为负载电流； l f 为变压器原边漏感。 图4半桥变换器驱动波形的产生示意图 由以上计算分析， 功率管q1 和q2 选择型号为fch47n60的mos管， 可承受600v 的电压和47a的电流， 整流二极管选择型号为mrb40250的肖特基管，其正向平均电流为40a, 反向耐压最大为250v. 2.2.4 吸收回路及滤波回路的设计 为解决关断时器件的过压问题， 在图3 中由d1, r1, c4 组成rcd 缓冲器， 通过减缓q1 漏源极电压的上升速度使下降的电流波形同上升的电压波形之间的重叠尽量小， 以达到减小开关管损耗的目的。 同理由d4, r4, c8 对q2 的关断过程进行保护。 在输出整流二极管之后 ...
