| 描述 | MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 80A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 138 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6600 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 310W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
【Fairchild Semiconductor】FDB047N10,MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB050AN06A0,MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB060AN08A0,MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB070AN06A0,MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB070AN06A0_Q,MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm