| 描述 | MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11.6 毫欧 @ 67A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDB14AN06LA0_F085,MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB14N30TM,MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB150N10,MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB15N50,MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB16AN08A0,MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
