| 描述 | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 57A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 15 毫欧 @ 49A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 69nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4760pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 110W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D?PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDB150N10TR |
【Fairchild Semiconductor】FDB15N50,MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB16AN08A0,MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB20AN06A0,MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB20AN06A0_Q,MOSFET N-Channel PT 6V 45A 2 mOhm
【Fairchild Semiconductor】FDB24AN06LA0,MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB