| 描述 | MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 19 毫欧 @ 40A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1850pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 75W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDB2532_F085,MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB2552,MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB2570,MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB2572,MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB2572_Q,MOSFET N-Channel UltraFET