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FDB3632_Q

描述MOSFET N-Channel PowerTrench电阻汲极/源极 RDS(导通)0.075 Ohms at 10 V
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-263AB
封装Reel下降时间46 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散310 W
上升时间39 ns典型关闭延迟时间96 ns

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