| 描述 | MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 61A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 16 毫欧 @ 61A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V | 功率 - 最大 | 150W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263AB | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDB3652-NDFDB3652TR |
【Fairchild Semiconductor】FDB3652_F085,MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB3652_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB3672_F085,MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB3682,MOSFET N-CH 100V 32A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB3860,MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
