描述 | MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 37 毫欧 @ 5.9A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1740pF @ 50V |
功率 - 最大 | 3.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 供应商设备封装 | D?PAK |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDB3860TR |