| 描述 | MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 8A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 665pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 37.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDB42AN15A0,MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB44N25TM,MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB52N20TM,MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB5645,MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB5690,MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB