| 描述 | MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 27 毫欧 @ 16A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1120pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 58W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDB5690-NDFDB5690TR |
【Fairchild Semiconductor】FDB5800_F085,MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB6021P,MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6021P_Q,MOSFET P-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB6030BL,MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6030BL_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB6030L_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench