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FDB6021P_Q

描述MOSFET P-Channel PowerTrench漏极连续电流- 28 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.03 Ohms at - 4.5 V配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-263封装Reel
下降时间50 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)33 S
最小工作温度- 65 C功率耗散37 W
上升时间10 ns典型关闭延迟时间80 ns

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