描述 | MOSFET P-Channel PowerTrench | 漏极连续电流 | - 28 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.03 Ohms at - 4.5 V | 配置 | Single |
最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-263 | 封装 | Reel |
下降时间 | 50 ns | 正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 33 S |
最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 37 W |
上升时间 | 10 ns | 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB6030BL,MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6030BL_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB6030L_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB6035AL,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB6035AL_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench